RD01MUS1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD01MUS1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для RD01MUS1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD01MUS1 даташит

No data!

Другие IGBT... UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, IRFB4110, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1, RD06HHF1, RD07MVS1, RD07MVS1B