SIF110N060 - аналоги и даташиты транзистора

 

SIF110N060 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIF110N060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SIF110N060

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF110N060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  sisemi
sif110n060.pdfpdf_icon

SIF110N060

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF110N060N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF110N06

Другие MOSFET... RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C , SPP20N60C3 , SIF12N60C , SIF12N65C , SIF13N50C , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , SIF2N60C .

History: AON6816 | IPP260N06N3G | MDP14N25CTH | MDIS2N60TH | F24W60C3 | TPD50R400C | SI4948BEY

 

 
Back to Top

 


 
.