Справочник MOSFET. SIF12N60C

 

SIF12N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIF12N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIF12N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF12N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  sisemi
sif12n60c.pdfpdf_icon

SIF12N60C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N60C

 7.1. Size:293K  sisemi
sif12n65c.pdfpdf_icon

SIF12N60C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N65C

Другие MOSFET... RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C , SIF110N060 , 8205A , SIF12N65C , SIF13N50C , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , SIF2N60C , SIF2N60D .

History: FDPF44N25TRDTU | PX607UZ | WMM14N70C4 | AP2300 | HM70P04K | STP55NE06 | HAT1048RJ

 

 
Back to Top

 


 
.