Справочник MOSFET. SIF12N65C

 

SIF12N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIF12N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIF12N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF12N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  sisemi
sif12n65c.pdfpdf_icon

SIF12N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N65C

 7.1. Size:293K  sisemi
sif12n60c.pdfpdf_icon

SIF12N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF12N60C

Другие MOSFET... RD70HHF1 , RD70HVF1 , SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C , SIF110N060 , SIF12N60C , 2SK3568 , SIF13N50C , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , SIF2N60C , SIF2N60D , SIF2N65C .

History: 2SK1496 | SSH7N80A | SFF9140-28 | FHP80N07B | WMO053NV8HGS | NCEP029N10

 

 
Back to Top

 


 
.