SIF2N60D - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SIF2N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIF2N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220FP TO-251 TO-251S TO-252

Аналог (замена) для SIF2N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIF2N60D даташит

..1. Size:333K sisemi
sif2n60d.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF2N60D N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF2N60D N

..2. Size:368K sisemi
sif2n60d 1.pdf pdf_icon