SIF8N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SIF8N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам