SIF8N50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIF8N50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220FP

Аналог (замена) для SIF8N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF8N50C даташит

 ..1. Size:332K  sisemi
 sif8n50c.pdf pdf_icon

SIF8N50C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF8N50C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF8N50C N- MOS / N-CHANN

Другие IGBT... SIF6N70C, SIF7N60C, SIF7N60D, SIF7N65C, SIF7N65D, SIF7N70C, SIF7N80C, SIF80N060, 18N50, 2SK3018S3, 2SK3019C3, 2SK3541Y3, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R