MTA06N03J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA06N03J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTA06N03J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA06N03J3 даташит

 ..1. Size:268K  cystek
 mta06n03j3.pdf pdf_icon

MTA06N03J3

Spec. No. C442J3 Issued Date 2009.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 80A MTA06N03J3 RDS(ON) 6m Features 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS c

 6.1. Size:297K  cystek
 mta06n03nj3.pdf pdf_icon

MTA06N03J3

Spec. No. C442J3 Issued Date 2009.03.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 80A MTA06N03NJ3 RDS(ON) 6m Features 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS

 9.1. Size:46K  diodes
 fmmta05 fmmta06.pdf pdf_icon

MTA06N03J3

SOT SI I O A A TA0 DI O T A SISTO S TA06 ISS 6 T 8 V I V i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T IT DITI I I II i V 8 V I V I i V V I V I II I V V II I V V V 8 V i I V V T i I V V II i V V

 9.2. Size:92K  diodes
 fmmta06.pdf pdf_icon

MTA06N03J3

FMMTA06 SOT23 NPN SILICON PLANARMEDIUM POWER TRANSISTORS SUMMARY V(BR)CEO > 80V IC(cont) = 500mA DESCRIPTION 80V medium power NPN transistor in a compact SOT23 package FEATURES SOT23 80V VCEO Compact SOT23 package SYMBOL HFE 50 @ IC = 100mA APPLICATIONS Low power motor driving circuits ORDERING INFORMATION DEVICE REEL TAPE WIDTH QUANTITY PER PINOUT SIZE REEL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, 7N60, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8