Справочник MOSFET. MTA090P02J3

 

MTA090P02J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTA090P02J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTA090P02J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA090P02J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  cystek
 mta090p02j3.pdf pdf_icon

MTA090P02J3

Spec. No. : C322J3 Issued Date : 2014.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10ARDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ)RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

 8.1. Size:367K  cystek
 mta090n02kc3.pdf pdf_icon

MTA090P02J3

Spec. No. : C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.11.19 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20VID @VGS=4V, TA=25C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

Другие MOSFET... BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , STP65NF06 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , MTA65N20H8 , MTA90N03ZN3 .

History: IRLR120NTR

 

 
Back to Top

 


 
.