MTA090P02J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTA090P02J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTA090P02J3
MTA090P02J3 Datasheet (PDF)
mta090p02j3.pdf
Spec. No. : C322J3 Issued Date : 2014.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10ARDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ)RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free
mta090n02kc3.pdf
Spec. No. : C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.11.19 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20VID @VGS=4V, TA=25C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
