MTA090P02J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA090P02J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTA090P02J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA090P02J3 даташит

 ..1. Size:362K  cystek
 mta090p02j3.pdf pdf_icon

MTA090P02J3

Spec. No. C322J3 Issued Date 2014.03.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10A RDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ) RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

 8.1. Size:367K  cystek
 mta090n02kc3.pdf pdf_icon

MTA090P02J3

Spec. No. C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.11.19 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4V, TA=25 C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

Другие IGBT... BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, IRFZ46N, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, MTA90N03ZN3