Справочник MOSFET. MTA090P02J3

 

MTA090P02J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA090P02J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTA090P02J3

 

 

MTA090P02J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  cystek
 mta090p02j3.pdf

MTA090P02J3 MTA090P02J3

Spec. No. : C322J3 Issued Date : 2014.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10ARDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ)RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

 8.1. Size:367K  cystek
 mta090n02kc3.pdf

MTA090P02J3 MTA090P02J3

Spec. No. : C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.11.19 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20VID @VGS=4V, TA=25C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ATP216

 

 
Back to Top