MTB02N03J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTB02N03J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTB02N03J3 Datasheet (PDF)
mtb02n03j3.pdf

Spec. No. : C575J3 Issued Date : 2012.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB02N03J3 ID 136ARDS(ON)@VGS=10V, ID=45A 2.7m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=36A 3.8m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS com
mtb02n03h8.pdf

Spec. No. : C575H8 Issued Date : 2012.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.12 Page No. : 1/11 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB02N03H8ID 75ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=25A 3.5 m(typ)Description The MTB02N03H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin
mtb02n03q8.pdf

Spec. No. : C575Q8 Issued Date : 2012.01.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB02N03Q8ID 25ARDSON@VGS=10V, ID=25A 2.2m(typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=15A 2.3m(typ) Description The MTB02N03Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s
mtb028n10qncq8.pdf

Spec. No. : C168Q8 Issued Date : 2016.11.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.11.22 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB028N10QNCQ8 BVDSS 100VID @ TA=25C, VGS=10V 6.6A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4A 19.3 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 27.0m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characterist
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ZVP0535A
History: ZVP0535A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327