Справочник MOSFET. FSF055D

 

FSF055D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSF055D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FSF055D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF055D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:54K  intersil
 fsf055.pdf pdf_icon

FSF055D

FSF055D, FSF055R25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Другие MOSFET... FRX130H1 , FRX130H2 , FRX130H3 , FRX130H4 , FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , IRF9640 , FSF055R , FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D .

History: STP33N10 | STH65N06

 

 
Back to Top

 


 
.