Справочник MOSFET. MTB050N15J3

 

MTB050N15J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB050N15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0475 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB050N15J3

 

 

MTB050N15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  cystek
 mtb050n15j3.pdf

MTB050N15J3 MTB050N15J3

Spec. No. : C979J3 Issued Date : 2014.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.08.18 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB050N15J3 ID @VGS=10V 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 47.5m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 47.5m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free p

 8.1. Size:270K  cystek
 mtb050p10e3.pdf

MTB050N15J3 MTB050N15J3

Spec. No. : C975E3 Issued Date : 2014.07.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTB050P10E3 ID @ VGS=-10V -40A46m RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-20A RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-15A 52m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

 8.2. Size:525K  cystek
 mtb050p10f3.pdf

MTB050N15J3 MTB050N15J3

Spec. No. : C975F3 Issued Date : 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB050P10F3 ID @ VGS=-10V -40A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-20A 46m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-15A 52m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

 9.1. Size:362K  cystek
 mtb05n03hq8.pdf

MTB050N15J3 MTB050N15J3

Spec. No. : C738Q8 Issued Date : 2009.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB05N03HQ8ID 20ARDSON(max) 5m Description The MTB05N03HQ8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top