Справочник MOSFET. MTB06N03Q8

 

MTB06N03Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB06N03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTB06N03Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB06N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  cystek
 mtb06n03q8.pdf pdf_icon

MTB06N03Q8

Spec. No. : C441Q8 Issued Date : 2009.05.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.06 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB06N03Q8ID 23ARDSON@VGS=10V, ID=18A 4.6m(typ)RDSON@VGS=4.5V, ID=12A 6.5m(typ)Description The MTB06N03Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination

 6.1. Size:292K  cystek
 mtb06n03j3.pdf pdf_icon

MTB06N03Q8

Spec. No. : C441J3 Issued Date : 2009.03.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB06N03J3 ID 75ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 4.5m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=24A 7.3m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS complia

 6.2. Size:281K  cystek
 mtb06n03e3.pdf pdf_icon

MTB06N03Q8

Spec. No. : C441E3 Issued Date : 2010.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.26 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB06N03E3 ID 102A4.3m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 6.6m VGS=4.5V, ID=24A Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating

 6.3. Size:334K  cystek
 mtb06n03h8.pdf pdf_icon

MTB06N03Q8

Spec. No. : C710H8 Issued Date : 2009.05.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.07.31 Page No. : 1/11 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB06N03H8ID 75ARDSON(max) 6m Description The MTB06N03H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTB050P10F3 , MTB05N03HQ8 , MTB060N06I3 , MTB060N15J3 , MTB06N03E3 , MTB06N03H8 , MTB06N03I3 , MTB06N03J3 , IRF630 , MTB06N03V8 , MTB070N11J3 , MTB08N04J3 , MTB090N06I3 , MTB090N06N3 , MTB09N03H8 , MTB09N03V8 , MTB09N04H8 .

History: WSP4805 | ISCNL343D

 

 
Back to Top

 


 
.