MTB09N03V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB09N03V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTB09N03V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB09N03V8 даташит

 ..1. Size:327K  cystek
 mtb09n03v8.pdf pdf_icon

MTB09N03V8

Spec. No. C709V8 Issued Date 2012.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.08.23 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTB09N03V8 ID 37.5A 6.8m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 13.1m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTB09N03V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination o

 6.1. Size:332K  cystek
 mtb09n03h8.pdf pdf_icon

MTB09N03V8

Spec. No. C709H8 Issued Date 2009.05.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.11.12 Page No. 1/11 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTB09N03H8 ID 56A RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 7 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 13 m (typ) Description The MTB09N03H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin

 7.1. Size:589K  cystek
 mtb09n06j3.pdf pdf_icon

MTB09N03V8

Spec. No. C912J3 Issued Date 2013.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.24 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB09N06J3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 6.3 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 9 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristi

 7.2. Size:343K  cystek
 mtb09n04h8.pdf pdf_icon

MTB09N03V8

Spec. No. C892H8 Issued Date 2013.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB09N04H8 ID 60A 6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTB09N04H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB06N03J3, MTB06N03Q8, MTB06N03V8, MTB070N11J3, MTB08N04J3, MTB090N06I3, MTB090N06N3, MTB09N03H8, IRFB4115, MTB09N04H8, MTB09N06J3, MTB09N06Q8, MTB09P03J3, MTB110P10E3, MTB110P10F3, MTB110P10J3, MTB11N03Q8