MTB1D7N03E3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB1D7N03E3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB1D7N03E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 203 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MTB1D7N03E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB1D7N03E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  cystek
 mtb1d7n03e3.pdf pdf_icon

MTB1D7N03E3

Spec. No. : C948E3 Issued Date : 2014.03.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB1D7N03E3 ID @VGS=10V 203A2m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A 2.6m RDSON(TYP) @ VGS=4.5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant pac

 5.1. Size:420K  cystek
 mtb1d7n03ath8.pdf pdf_icon

MTB1D7N03E3

Spec. No. : C948H8 Issued Date : 2014.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB1D7N03ATH8BVDSS 30VID @VGS=10V 90ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 1.5 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 2.1 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

 9.1. Size:840K  1
 mtb1d0n03rh8.pdf pdf_icon

MTB1D7N03E3

Spec. No. : C012H8 Issued Date : 2018.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2019.01.03 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB1D0N03RH8 BVDSS 30V ID@VGS=10V, TC=25C(silicon limit) 200A ID@VGS=10V, TC=25C(package limit) 84A ID@VGS=10V, TA=25C 34.5A Features 0.7m VGS=10V, ID=20A Single Drive Requirement RDSON(TYP) 1.

 9.2. Size:840K  cystek
 mtb1d0n03rh8.pdf pdf_icon

MTB1D7N03E3

Spec. No. : C012H8 Issued Date : 2018.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2019.01.03 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB1D0N03RH8 BVDSS 30V ID@VGS=10V, TC=25C(silicon limit) 200A ID@VGS=10V, TC=25C(package limit) 84A ID@VGS=10V, TA=25C 34.5A Features 0.7m VGS=10V, ID=20A Single Drive Requirement RDSON(TYP) 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTB14A03V8 , MTB14P03Q8 , MTB15P04J3 , MTB16P04J3 , MTB17A03Q8 , MTB17A03V8 , MTB17N03Q8 , MTB1D7N03ATH8 , 5N60 , MTB1K6N06KS6R , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 , MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , MTB22N04J3 .

History: GT080N10D5 | BLF7G22LS-100P | FTK2012

 

 
Back to Top

 


 
.