MTB20N03Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB20N03Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 76 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0136 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTB20N03Q8
MTB20N03Q8 Datasheet (PDF)
mtb20n03q8.pdf
Spec. No. : C396Q8 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.02.14 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB20N03Q8 ID 10.2ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 13.6 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=7A 22.3 m(typ) Description The MTB20N03Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best c
mtb20n03aq8.pdf
Spec. No. : C737Q8 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.01 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB20N03AQ8 ID 10.2ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 13.6 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=7A 23.6 m(typ) Description The MTB20N03AQ8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best
mtb20n04j3.pdf
Spec. No. : C978J3 Issued Date : 2015.01.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB20N04J3 ID@VGS=10V, TC=25C 23A ID@VGS=10V, TC=100C 16.3A VGS=10V, ID=10A 17.5m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 20.8m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package
mtb20n06kj3.pdf
Spec. No. : C103J3 Issued Date : 2015.12.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.04.12 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 60VMTB20N06KJ3 ID@VGS=10V, TC=25C 38A ID@VGS=10V, TA=25C 8.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=8A 13.4 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=6A 15.9 m(typ)RDS(ON)@VGS=4V, ID=4A 17.2 m(typ) Low On Resistance
mtb20n06j3.pdf
Spec. No. : C925J3 Issued Date : 2013.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 60VMTB20N06J3 ID 42ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 14.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 16.7 m(typ)Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
