MTB30N06J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB30N06J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB30N06J3
MTB30N06J3 Datasheet (PDF)
mtb30n06j3.pdf
Spec. No. : C699J3 Issued Date : 2012.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06J3 ID 22ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 31m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli
mtb30n06vlrev4.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou
mtb30n06vl.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou
mtb30n06v8.pdf
Spec. No. : C699V8 Issued Date : 2012.03.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06V8 ID 6.8AVGS=10V, ID=6.8A 24m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=4A 28m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline
mtb30n06q8.pdf
Spec. No. : C699Q8 Issued Date : 2013.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06Q8 ID 8A25m VGS=10V, ID=6.8A RDSON(TYP) 28m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB30N06Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
