FSF254D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSF254D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSF254D
FSF254D Datasheet (PDF)
fsf254.pdf

FSF254D, FSF254R18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 18A, 250V, rDS(ON) = 0.170 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
fsf250.pdf

FSF250D, FSF250R24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 24A, 200V, rDS(ON) = 0.110 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
Другие MOSFET... FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , FSF055R , FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , IRFB7545 , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D .
History: FQD9N25TM | VBQA2309 | IRF3808SPBF | APT5026HVR | 2SJ471 | APT5024BVFR | FQE10N20CTU
History: FQD9N25TM | VBQA2309 | IRF3808SPBF | APT5026HVR | 2SJ471 | APT5024BVFR | FQE10N20CTU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882