Справочник MOSFET. MTB30N06V8

 

MTB30N06V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB30N06V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTB30N06V8

 

 

MTB30N06V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cystek
 mtb30n06v8.pdf

MTB30N06V8 MTB30N06V8

Spec. No. : C699V8 Issued Date : 2012.03.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06V8 ID 6.8AVGS=10V, ID=6.8A 24m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=4A 28m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

 5.1. Size:262K  motorola
 mtb30n06vlrev4.pdf

MTB30N06V8 MTB30N06V8

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou

 5.2. Size:227K  motorola
 mtb30n06vl.pdf

MTB30N06V8 MTB30N06V8

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou

 6.1. Size:281K  cystek
 mtb30n06j3.pdf

MTB30N06V8 MTB30N06V8

Spec. No. : C699J3 Issued Date : 2012.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06J3 ID 22ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 31m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

 6.2. Size:305K  cystek
 mtb30n06q8.pdf

MTB30N06V8 MTB30N06V8

Spec. No. : C699Q8 Issued Date : 2013.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06Q8 ID 8A25m VGS=10V, ID=6.8A RDSON(TYP) 28m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB30N06Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top