Справочник MOSFET. MTB3D0N03ATH8

 

MTB3D0N03ATH8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB3D0N03ATH8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB3D0N03ATH8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  cystek
 mtb3d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB3D0N03ATH8

Spec. No. : C943H8 Issued Date : 2014.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03ATH8BVDSS 30VID 75ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.9 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 4.0 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt r

 5.1. Size:431K  cystek
 mtb3d0n03bh8.pdf pdf_icon

MTB3D0N03ATH8

Spec. No. : C999H8 Issued Date : 2015.03.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03BH8BVDSS 30VID@VGS=10V, TC=25C 60A ID@VGS=10V, TA=25C 19.2A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.5 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 3.5 m(typ) Low On-resistance Fast

Другие MOSFET... MTB25N04J3 , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 , MTB30N06V8 , MTB30P06J3 , MTB35N04J3 , 13N50 , MTB40N06E3 , MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , MTB45A06Q8 , MTB45P03Q8 .

 

 
Back to Top

 


 
.