Справочник MOSFET. MTB40P06V8

 

MTB40P06V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB40P06V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTB40P06V8

 

 

MTB40P06V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  cystek
 mtb40p06v8.pdf

MTB40P06V8 MTB40P06V8

Spec. No. : C796V8 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.23 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTB40P06V8 ID -5ARDSON@VGS=-10V, ID=-4.9A 48m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 59m(typ) Description The MTB40P06V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swit

 6.1. Size:696K  cystek
 mtb40p06q8.pdf

MTB40P06V8 MTB40P06V8

Spec. No. : C796Q8 Issued Date : 2011.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.03.09 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -60V MTB40P06Q8 ID @ TA=25C, VGS=-10V -6.2A RDSON@VGS=-10V, ID=-6.2A 33m(typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-5A 45m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-f

 6.2. Size:295K  cystek
 mtb40p06j3.pdf

MTB40P06V8 MTB40P06V8

Spec. No. : C796J3 Issued Date : 2010.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB40P06J3 ID -17A62m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB40P06J3 TO-252(DPAK)

 7.1. Size:340K  cystek
 mtb40p04j3.pdf

MTB40P06V8 MTB40P06V8

Spec. No. : C595J3 Issued Date : 2010.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB40P04J3 ID -12A40.5m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB40P04J3 TO-252 GGate DDrain G D S S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top