Справочник MOSFET. MTB44P04J3

 

MTB44P04J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB44P04J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTB44P04J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB44P04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  cystek
 mtb44p04j3.pdf pdf_icon

MTB44P04J3

Spec. No. : C454J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB44P04J3 ID -12A44m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB44P04J3 TO-252 GGate DDrain G D S S

Другие MOSFET... MTB30P06J3 , MTB35N04J3 , MTB3D0N03ATH8 , MTB40N06E3 , MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , CS150N03A8 , MTB45A06Q8 , MTB45P03Q8 , MTB4D0N03ATH8 , MTB4D0N03ATV8 , MTB55N03J3 , MTB55N03N3 , MTB55N06Q8 , MTB55N10J3 .

History: STB4NK60Z-1 | SI5429DU | SFG08R06DF | IRFR410 | HYG013N03LS1C2 | RD00HHS1 | NCEP039N10MD

 

 
Back to Top

 


 
.