MTB44P04J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB44P04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 405 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB44P04J3
MTB44P04J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:256K cystek
mtb44p04j3.pdf
mtb44p04j3.pdf
Spec. No. : C454J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB44P04J3 ID -12A44m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB44P04J3 TO-252 GGate DDrain G D S S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
