Справочник MOSFET. MTB4D0N03ATH8

 

MTB4D0N03ATH8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB4D0N03ATH8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 299 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB4D0N03ATH8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  cystek
 mtb4d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATH8

Spec. No. : C441H8 Issued Date : 2014.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8BVDSS 30VID @VGS=10V 66ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

 3.1. Size:635K  cystek
 mtb4d0n03atv8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATH8

Spec. No. : C441V8 Issued Date : 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NTLGF3402PT1G

 

 
Back to Top

 


 
.