Справочник MOSFET. MTB55N06Q8

 

MTB55N06Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB55N06Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTB55N06Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB55N06Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  cystek
 mtb55n06q8.pdf pdf_icon

MTB55N06Q8

Spec. No. : C746Q8 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTB55N06Q8ID 8ARDSON@VGS=10V, ID=6A 35m(typ)RDSON@VGS=5V, ID=5A 38m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

 6.1. Size:151K  motorola
 mtb55n06z.pdf pdf_icon

MTB55N06Q8

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB55N06Z/DAdvance InformationMTB55N06ZTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 55 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 18 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 6.2. Size:146K  motorola
 mtb55n06zrev1.pdf pdf_icon

MTB55N06Q8

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB55N06Z/DAdvance InformationMTB55N06ZTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 55 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 18 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.1. Size:308K  cystek
 mtb55n03n3.pdf pdf_icon

MTB55N06Q8

Spec. No. : C723N3 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.08 Page No. : 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB55N03N3 ID 4.8ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , MTB45A06Q8 , MTB45P03Q8 , MTB4D0N03ATH8 , MTB4D0N03ATV8 , MTB55N03J3 , MTB55N03N3 , IRF520 , MTB55N10J3 , MTB55N10Q8 , MTB600N03N3 , MTB60A06Q8 , MTB60B06Q8 , MTB60N06J3 , MTB60N06L3 , MTB60P06E3 .

History: IRFB17N60K | IRF720PBF | IRFH8311TRPBF | SSD15N10 | WSF30100 | IRF7306QTR | IRFR9120

 

 
Back to Top

 


 
.