MTBA5N10Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBA5N10Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.123 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTBA5N10Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA5N10Q8 даташит

 ..1. Size:303K  cystek
 mtba5n10q8.pdf pdf_icon

MTBA5N10Q8

Spec. No. C731Q8 Issued Date 2013.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.05 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA5N10Q8 ID 3A 123m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 130m VGS=4.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbol Outline MTBA5N1

 6.1. Size:349K  cystek
 mtba5n10fp.pdf pdf_icon

MTBA5N10Q8

Spec. No. C731FP Issued Date 2012.12.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA5N10FP ID 10A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 151 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 165 m (typ) Description The MTBA5N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swit

 6.2. Size:327K  cystek
 mtba5n10v8.pdf pdf_icon

MTBA5N10Q8

Spec. No. C731V8 Issued Date 2012.08.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA5N10V8 ID 7A 133 m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 140 m VGS=4.5V, ID=5A Description The MTBA5N10V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

 6.3. Size:250K  cystek
 mtba5n10j3.pdf pdf_icon

MTBA5N10Q8

Spec. No. C731J3 Issued Date 2009.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA5N10J3 ID 10A 150m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTBA5N10J3 TO-252(DPAK)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB80N08J3, MTB90P06J3, MTB90P06Q8, MTBA0N10Q8, MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, AO4468, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3