MTBA5N10Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTBA5N10Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 28 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.123 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTBA5N10Q8
MTBA5N10Q8 Datasheet (PDF)
mtba5n10q8.pdf
Spec. No. : C731Q8 Issued Date : 2013.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.05 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10Q8 ID 3A123m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 130m VGS=4.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbol Outline MTBA5N1
mtba5n10fp.pdf
Spec. No. : C731FP Issued Date : 2012.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTBA5N10FP ID 10ARDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 151 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 165 m(typ) Description The MTBA5N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swit
mtba5n10v8.pdf
Spec. No. : C731V8 Issued Date : 2012.08.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10V8ID 7A133 m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 140 m VGS=4.5V, ID=5A Description The MTBA5N10V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch
mtba5n10j3.pdf
Spec. No. : C731J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10J3 ID 10A150m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTBA5N10J3 TO-252(DPAK)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
