Справочник MOSFET. MTBA5N10V8

 

MTBA5N10V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTBA5N10V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.133 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTBA5N10V8

 

 

MTBA5N10V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  cystek
 mtba5n10v8.pdf

MTBA5N10V8 MTBA5N10V8

Spec. No. : C731V8 Issued Date : 2012.08.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10V8ID 7A133 m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 140 m VGS=4.5V, ID=5A Description The MTBA5N10V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

 6.1. Size:349K  cystek
 mtba5n10fp.pdf

MTBA5N10V8 MTBA5N10V8

Spec. No. : C731FP Issued Date : 2012.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTBA5N10FP ID 10ARDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 151 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 165 m(typ) Description The MTBA5N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swit

 6.2. Size:303K  cystek
 mtba5n10q8.pdf

MTBA5N10V8 MTBA5N10V8

Spec. No. : C731Q8 Issued Date : 2013.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.05 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10Q8 ID 3A123m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 130m VGS=4.5V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbol Outline MTBA5N1

 6.3. Size:250K  cystek
 mtba5n10j3.pdf

MTBA5N10V8 MTBA5N10V8

Spec. No. : C731J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA5N10J3 ID 10A150m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTBA5N10J3 TO-252(DPAK)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top