MTBB0P10J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBB0P10J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTBB0P10J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBB0P10J3 даташит

 ..1. Size:282K  cystek
 mtbb0p10j3.pdf pdf_icon

MTBB0P10J3

Spec. No. C732J3 Issued Date 2009.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTBB0P10J3 ID -16A 205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P

 6.1. Size:333K  cystek
 mtbb0p10l3.pdf pdf_icon

MTBB0P10J3

Spec. No. C732L3 Issued Date 2013.01.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100V ID -2.6A 171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

Другие IGBT... MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, IRF740, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8