Справочник MOSFET. MTBB0P10J3

 

MTBB0P10J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTBB0P10J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTBB0P10J3

 

 

MTBB0P10J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  cystek
 mtbb0p10j3.pdf

MTBB0P10J3 MTBB0P10J3

Spec. No. : C732J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB0P10J3 ID -16A205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P

 6.1. Size:333K  cystek
 mtbb0p10l3.pdf

MTBB0P10J3 MTBB0P10J3

Spec. No. : C732L3 Issued Date : 2013.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100VID -2.6A171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top