MTBB0P10J3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTBB0P10J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTBB0P10J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTBB0P10J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBB0P10J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  cystek
 mtbb0p10j3.pdf pdf_icon

MTBB0P10J3

Spec. No. : C732J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB0P10J3 ID -16A205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P

 6.1. Size:333K  cystek
 mtbb0p10l3.pdf pdf_icon

MTBB0P10J3

Spec. No. : C732L3 Issued Date : 2013.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100VID -2.6A171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

Другие MOSFET... MTBA5C10AQ8 , MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 , MTBA5N10Q8 , MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 , IRF740 , MTBB0P10L3 , MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , MTBC7N10N3 , MTC1016S6R , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 .

History: SFB067N80C2 | IRF6633A | KI5447DC | 5N65KG-TN3-R | SQJ946EP | HFI640

 

 
Back to Top

 


 
.