MTC4506J4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC4506J4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21(16) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8(7) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58(63) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255(0.0465) Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

Аналог (замена) для MTC4506J4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC4506J4 даташит

 ..1. Size:355K  cystek
mtc4506j4.pdfpdf_icon

MTC4506J4

Spec. No. C780J4 Issued Date 2014.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTC4506J4 BVDSS 60V -60V ID 5.4A -4.0A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 25.5m 46.5m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 28m 56.6m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free packa

 7.1. Size:373K  cystek
mtc4506q8.pdfpdf_icon

MTC4506J4

Spec. No. C780Q8 Issued Date 2012.05.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CH MTC4506Q8 BVDSS 60V -60V ID 5.3A -3.9A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 28m 57m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 31m 67m Description The MTC4506Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SO

 8.1. Size:543K  cystek
mtc4503q8g.pdfpdf_icon

MTC4506J4

Spec. No. C384Q8 Issued Date 2010.12.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTC4503Q8G Description The MTC4503Q8G consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 8.2. Size:763K  cystek
mtc4503lq8.pdfpdf_icon

MTC4506J4

Spec. No. C384Q8 Issued Date 2015.01.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTC4503LQ8 Description The MTC4503LQ8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

Другие IGBT... MTC3585N6, MTC3586DFA6, MTC380Q8, MTC4501Q8, MTC4503AQ8, MTC4503Q8, MTC4503Q8G, MTC4505Q8, AON6414A, MTC4506Q8, MTC5806Q8, MTC8402S6R, MTC8404V8, MTC8958G6, MTC8958Q8, MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4