MTC8958G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC8958G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6(4.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(12) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70(64) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(0.041) Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MTC8958G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC8958G6 даташит

 ..1. Size:427K  cystek
 mtc8958g6.pdf pdf_icon

MTC8958G6

Spec. No. C839G6 Issued Date 2012.04.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.30 Page No. 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CH MTC8958G6 BVDSS 30V -30V ID 6A(VGS=10V) -4.5A(VGS=-10 V) 18m (VGS=10V) 41m (VGS=-10V) RDSON(TYP.) 26m (VGS=4.5V) 60m (VGS=-4.5V) Features Simple drive requirement Low gate charge Low

 7.1. Size:450K  cystek
 mtc8958q8.pdf pdf_icon

MTC8958G6

Spec. No. C839Q8 Issued Date 2013.05.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.27 Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC8958Q8 BVDSS 30V -30V ID 7A -6A RDSON(MAX.) 25m 55m Description The MTC8958Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer

Другие IGBT... MTC4503Q8, MTC4503Q8G, MTC4505Q8, MTC4506J4, MTC4506Q8, MTC5806Q8, MTC8402S6R, MTC8404V8, 7N65, MTC8958Q8, MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3