MTDA0P10FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDA0P10FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1683 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTDA0P10FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDA0P10FP даташит

 ..1. Size:295K  cystek
 mtda0p10fp.pdf pdf_icon

MTDA0P10FP

 9.1. Size:356K  cystek
 mtda0n10l3.pdf pdf_icon

MTDA0P10FP

Spec. No. C870L3 Issued Date 2014.04.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTDA0N10L3 ID 3.9A RDSON@VGS=10V, ID=3A 77m (typ) RDSON@VGS=5V, ID=2A 87m (typ) Description The MTDA0N10L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rugge

 9.2. Size:312K  cystek
 mtda0n10j3.pdf pdf_icon

MTDA0P10FP

Spec. No. C870J3 Issued Date 2012.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTDA0N10J3 ID 16A 80m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 96m VGS=5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit O

Другие IGBT... MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, IRLB4132, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R