Справочник MOSFET. MTDA4N20J3

 

MTDA4N20J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDA4N20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTDA4N20J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDA4N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  cystek
 mtda4n20j3.pdf pdf_icon

MTDA4N20J3

Spec. No. : C786J3 Issued Date : 2010.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTDA4N20J3 ID 15A140m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTDA4N20J3 TO-252 G D S GGate DDrain S

Другие MOSFET... MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , AO3400 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 .

History: IRF7307QPBF | VN1204N1 | SI6968BEDQ

 

 
Back to Top

 


 
.