MTDA4N20J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTDA4N20J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 139 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTDA4N20J3
MTDA4N20J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:309K cystek
mtda4n20j3.pdf
mtda4n20j3.pdf
Spec. No. : C786J3 Issued Date : 2010.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTDA4N20J3 ID 15A140m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTDA4N20J3 TO-252 G D S GGate DDrain S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
