Справочник MOSFET. MTDE5P10N3

 

MTDE5P10N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTDE5P10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.7 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 16 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MTDE5P10N3

 

 

MTDE5P10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cystek
 mtde5p10n3.pdf

MTDE5P10N3 MTDE5P10N3

Spec. No. : C885N3 Issued Date : 2014.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -100V MTDE5P10N3 ID -1.1A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-1A 450m(typ) RDS(ON)@VGS=-6V, ID=-1A 472m(typ) Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top