MTDE5P10N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTDE5P10N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTDE5P10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MTDE5P10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDE5P10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cystek
 mtde5p10n3.pdf pdf_icon

MTDE5P10N3

Spec. No. : C885N3 Issued Date : 2014.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -100V MTDE5P10N3 ID -1.1A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-1A 450m(typ) RDS(ON)@VGS=-6V, ID=-1A 472m(typ) Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , 12N60 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 .

History: PSMN063-150D | BUK7M22-80E | PSMN039-100YS | PSMN070-200P | H5N5016PL | PSMN0R9-25YLC | PSMN059-150Y

 

 
Back to Top

 


 
.