Справочник MOSFET. MTDE5P10N3

 

MTDE5P10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDE5P10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDE5P10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cystek
 mtde5p10n3.pdf pdf_icon

MTDE5P10N3

Spec. No. : C885N3 Issued Date : 2014.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -100V MTDE5P10N3 ID -1.1A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-1A 450m(typ) RDS(ON)@VGS=-6V, ID=-1A 472m(typ) Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTDN6303S6R | MTE13N08J3 | OSG65R2K4FF | SI1402DH | 2N4338 | MTEE2N20FP | VIS30023

 

 
Back to Top

 


 
.