MTDE5P10N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDE5P10N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTDE5P10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDE5P10N3 даташит

 ..1. Size:601K  cystek
 mtde5p10n3.pdf pdf_icon

MTDE5P10N3

Другие IGBT... MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, K3569, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8