Справочник MOSFET. MTDP4953Q8

 

MTDP4953Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDP4953Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP4953Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  cystek
 mtdp4953q8.pdf pdf_icon

MTDP4953Q8

Spec. No. : C402Q8 Issued Date : 2006.06.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.06.10 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTDP4953Q8 ID -5.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 50m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 75m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and

 6.1. Size:564K  cystek
 mtdp4953bdyq8.pdf pdf_icon

MTDP4953Q8

Spec. No. : C401Q8 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.