MTDP4953Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDP4953Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTDP4953Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP4953Q8 даташит

 ..1. Size:323K  cystek
 mtdp4953q8.pdf pdf_icon

MTDP4953Q8

Spec. No. C402Q8 Issued Date 2006.06.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.10 Page No. 1/8 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTDP4953Q8 ID -5.3A RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 50m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 75m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and

 6.1. Size:564K  cystek
 mtdp4953bdyq8.pdf pdf_icon

MTDP4953Q8

Spec. No. C401Q8 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO

Другие IGBT... MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, MTDNK2N6, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, IRF1407, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3