Справочник MOSFET. MTE1K8N25J3

 

MTE1K8N25J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE1K8N25J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.71 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTE1K8N25J3

 

 

MTE1K8N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cystek
 mte1k8n25j3.pdf

MTE1K8N25J3 MTE1K8N25J3

Spec. No. : C890J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25J3 ID 2.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.71(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.72(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

 5.1. Size:352K  cystek
 mte1k8n25km3.pdf

MTE1K8N25J3 MTE1K8N25J3

Spec. No. : C929M3 Issued Date : 2013.08.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.09 Page No. : 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25KM3 ID 1ARDS(ON)@VGS=10V, ID=0.5A 1.33(typ) RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.4(typ) Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63(typ) Low Gate Charge RDS(ON)@VGS=6V, ID=0.5A 1.35(typ) Simple Driv

 5.2. Size:306K  cystek
 mte1k8n25kj3.pdf

MTE1K8N25J3 MTE1K8N25J3

Spec. No. : C929J3 Issued Date : 2013.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25KJ3 ID 2.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.41(typ) Features Low gate charge Simple drive requirement Pb-free lead plating and halogen-free package ESD

 9.1. Size:311K  cystek
 mte1k0p15kn3.pdf

MTE1K8N25J3 MTE1K8N25J3

Spec. No. : C941N3 Issued Date : 2013.11.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -150VID -0.69AVGS=-10V, ID=-0.5A 1.01 MTE1K0P15KN3 RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-0.5A 1.11 Features ESD protected 2.5KVAdvanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistancePb-free

Другие MOSFET... MTE05N10E3 , MTE130N20FP , MTE130N20KE3 , MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP , MTE130N20KJ3 , MTE13N08J3 , MTE1K0P15KN3 , MMIS60R580P , MTE1K8N25KJ3 , MTE1K8N25KM3 , MTE20N10FP , MTE50N10FP , MTE50N15FP , MTE50N15J3 , MTE50N15Q8 , MTE65N15FP .

 

 
Back to Top