MTE1K8N25KJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE1K8N25KJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTE1K8N25KJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE1K8N25KJ3 даташит

 ..1. Size:306K  cystek
 mte1k8n25kj3.pdf pdf_icon

MTE1K8N25KJ3

Spec. No. C929J3 Issued Date 2013.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25KJ3 ID 2.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63 (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.41 (typ) Features Low gate charge Simple drive requirement Pb-free lead plating and halogen-free package ESD

 4.1. Size:352K  cystek
 mte1k8n25km3.pdf pdf_icon

MTE1K8N25KJ3

Spec. No. C929M3 Issued Date 2013.08.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.09 Page No. 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25KM3 ID 1A RDS(ON)@VGS=10V, ID=0.5A 1.33 (typ) RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.4 (typ) Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63 (typ) Low Gate Charge RDS(ON)@VGS=6V, ID=0.5A 1.35 (typ) Simple Driv

 5.1. Size:306K  cystek
 mte1k8n25j3.pdf pdf_icon

MTE1K8N25KJ3

Spec. No. C890J3 Issued Date 2012.12.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25J3 ID 2.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.71 (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.72 (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

 9.1. Size:311K  cystek
 mte1k0p15kn3.pdf pdf_icon

MTE1K8N25KJ3

Spec. No. C941N3 Issued Date 2013.11.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -150V ID -0.69A VGS=-10V, ID=-0.5A 1.01 MTE1K0P15KN3 RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-0.5A 1.11 Features ESD protected 2.5KV Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Pb-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, P60NF06, MTE1K8N25KM3, MTE20N10FP, MTE50N10FP, MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3