MTE50N10FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTE50N10FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 114 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTE50N10FP
MTE50N10FP Datasheet (PDF)
mte50n10fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C893FP Issued Date : 2013.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE50N10FP ID 23ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m(typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching
mte50n15j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C931J3 Issued Date : 2014.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15J3 ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com
mte50n15fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C931FP Issued Date : 2013.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15FP ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin
mte50n15q8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C931Q8 Issued Date : 2014.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![MTE50N10FP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MTE50N10FP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MTE50N10FP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C