MTE50N10FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE50N10FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTE50N10FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE50N10FP даташит

 ..1. Size:297K  cystek
 mte50n10fp.pdf pdf_icon

MTE50N10FP

Spec. No. C893FP Issued Date 2013.05.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE50N10FP ID 23A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m (typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

 7.1. Size:382K  cystek
 mte50n15j3.pdf pdf_icon

MTE50N10FP

Spec. No. C931J3 Issued Date 2014.02.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15J3 ID 28A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com

 7.2. Size:299K  cystek
 mte50n15fp.pdf pdf_icon

MTE50N10FP

Spec. No. C931FP Issued Date 2013.12.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15FP ID 24A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin

 7.3. Size:333K  cystek
 mte50n15q8.pdf pdf_icon

MTE50N10FP

Spec. No. C931Q8 Issued Date 2014.03.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.24 Page No. 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7A RDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3, MTE20N10FP, IRFB31N20D, MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3