MTEA6C15J4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEA6C15J4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3(7.1) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5(9) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44(62) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.163(0.283) Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

Аналог (замена) для MTEA6C15J4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA6C15J4 даташит

 ..1. Size:355K  cystek
 mtea6c15j4.pdf pdf_icon

MTEA6C15J4

Spec. No. C938J4 Issued Date 2013.12.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTEA6C15J4 BVDSS 150V -150V ID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A 163m 283m RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) Features 177m 308 RDSON(TYP)@VGS=6V(-6V) Low gate charge Simple drive requirement ESD pr

 6.1. Size:356K  cystek
 mtea6c15q8.pdf pdf_icon

MTEA6C15J4

Spec. No. C938Q8 Issued Date 2013.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTEA6C15Q8 BVDSS 150V -150V ID 2.5A -2A RDSON(MAX.) 230m 365m Description The MTEA6C15Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the best c

Другие IGBT... MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, EMB04N03H, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3