Справочник MOSFET. MTEE2N20J3

 

MTEE2N20J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEE2N20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTEE2N20J3

 

 

MTEE2N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf

MTEE2N20J3 MTEE2N20J3

Spec. No. : C881J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20J3 ID 4.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

 6.1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf

MTEE2N20J3 MTEE2N20J3

Spec. No. : C881FP Issued Date : 2012.11.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20FP ID 4ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top