MTEE2N20J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEE2N20J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTEE2N20J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEE2N20J3 даташит

 ..1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf pdf_icon

MTEE2N20J3

Spec. No. C881J3 Issued Date 2012.12.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20J3 ID 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

 6.1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf pdf_icon

MTEE2N20J3

Spec. No. C881FP Issued Date 2012.11.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20FP ID 4A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

Другие IGBT... MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, AO4468, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3