MTN10N60E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN10N60E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTN10N60E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN10N60E3 даташит

 ..1. Size:307K  cystek
 mtn10n60e3.pdf pdf_icon

MTN10N60E3

Spec. No. C406E3 Issued Date 2010.09.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDSON(MAX) 0.75 MTN10N60E3 ID 10A Description The MTN10N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance an

 6.1. Size:332K  cystek
 mtn10n60fp.pdf pdf_icon

MTN10N60E3

Spec. No. C406FP Issued Date 2008.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.02.10 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDSON(MAX) 0.75 MTN10N60FP ID 10A Description The MTN10N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:665K  cystek
 mtn10n65ea.pdf pdf_icon

MTN10N60E3

Spec. No. C725EA Issued Date 2010.02.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V @Tj=150 RDS(ON) 0.85 MTN10N65EA ID 10A Description The MTN10N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, l

 7.2. Size:317K  cystek
 mtn10n65fpg.pdf pdf_icon

MTN10N60E3

Spec. No. C725FP Issued Date 2009.06.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.08.15 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 0.82 MTN10N65FPG ID 10A Description The MTN10N65FPG is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, IRFP260N, MTN10N60FP, MTN10N65EA, MTN10N65FP, MTN10N65FPG, MTN10N70EA, MTN12N60E3, MTN12N60FP, MTN12N65FP