Справочник MOSFET. FSJ9160D

 

FSJ9160D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSJ9160D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ9160D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9160.pdf pdf_icon

FSJ9160D

FSJ9160D,FSJ9160R44A, -100V, 0.055 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 44A, -100V, rDS(ON) = 0.055 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

Другие MOSFET... FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , IRF640N , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D , FSL110R , FSL130D , FSL130R , FSL13AOD .

History: SMS318 | VBNC1303 | IRFS4010PBF

 

 
Back to Top

 


 
.