FSJ9160D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSJ9160D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSJ9160D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ9160D даташит

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9160.pdf pdf_icon

FSJ9160D

FSJ9160D, FSJ9160R 44A, -100V, 0.055 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 44A, -100V, rDS(ON) = 0.055 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

Другие IGBT... FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, IRLZ44N, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D, FSL130R, FSL13AOD