MTN138KS3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN138KS3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTN138KS3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN138KS3 даташит

 ..1. Size:274K  cystek
 mtn138ks3.pdf pdf_icon

MTN138KS3

Spec. No. C320S3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.03 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTN138KS3 Description The MTN138KS3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-

 8.1. Size:326K  cystek
 mtn138zn3.pdf pdf_icon

MTN138KS3

Spec. No. C388N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.10 Page No. 1/9 N-CHANNEL MOSFET MTN138ZN3 Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline MTN1

 9.1. Size:508K  cystek
 mtn13n50e3.pdf pdf_icon

MTN138KS3

Spec. No. C405E3 Issued Date 2008.12.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.08.13 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.48 MTN13N50E3 ID 13A Description The MTN13N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resis

 9.2. Size:203K  cystek
 mtn1308e3.pdf pdf_icon

MTN138KS3

Spec. No. C440E3 Issued Date 2009.02.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDSON 13 m MTN1308E3 ID 80A Description The MTN1308E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effective

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN10N65FP, MTN10N65FPG, MTN10N70EA, MTN12N60E3, MTN12N60FP, MTN12N65FP, MTN1308E3, MTN1322S3, IRFP250N, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8