MTN2002ZS3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2002ZS3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTN2002ZS3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2002ZS3 даташит

 ..1. Size:264K  cystek
 mtn2002zs3.pdf pdf_icon

MTN2002ZS3

Spec. No. C447S3 Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/7 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTN2002ZS3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZS3 SOT-323 D S

 6.1. Size:262K  cystek
 mtn2002zw3.pdf pdf_icon

MTN2002ZS3

Spec. No. C447W3 Issued Date 2010.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTN2002ZW3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZW3 SOT-923 D S G G Ga

 9.1. Size:357K  cystek
 mtn20nf06j3.pdf pdf_icon

MTN2002ZS3

Spec. No. C431J3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2008.12.11 Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN20NF06J3 ID 60A RDSON 10.6m (typ) Features Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN

 9.2. Size:324K  cystek
 mtn20n20f3.pdf pdf_icon

MTN2002ZS3

Spec. No. C801F3 Issued Date 2010.05.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V RDS(ON) 90m (typ.) MTN20N20F3 ID 20A Description The MTN20N20F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, IRFP260, MTN2002ZW3, MTN20N20F3, MTN20NF06J3, MTN22N20J3, MTN2300N3, MTN2302N3, MTN2302V3, MTN2304M3