MTN20N20F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN20N20F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 210 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для MTN20N20F3
MTN20N20F3 Datasheet (PDF)
mtn20n20f3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C801F3 Issued Date : 2010.05.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 200V RDS(ON) : 90m (typ.) MTN20N20F3 ID : 20A Description The MTN20N20F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc
mtn20nf06j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C431J3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2008.12.11 Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN20NF06J3 ID 60ARDSON 10.6m(typ) Features Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN
mtn2002zw3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C447W3 Issued Date : 2010.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTN2002ZW3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZW3 SOT-923 D SG GGa
mtn2002zs3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C447S3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/7 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTN2002ZS3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZS3 SOT-323 D S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SIHL530S