Справочник MOSFET. MTN2306AN3

 

MTN2306AN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2306AN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MTN2306AN3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2306AN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
mtn2306an3.pdfpdf_icon

MTN2306AN3

Spec. No. : C429N3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.03.29 Page No. : 1/ 8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN2306AN3 ID 5.5A25m VGS=10V, ID=5A 27m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=5A 30m VGS=2.5V, ID=2.6A Features Low on-resistance Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities

 6.1. Size:299K  cystek
mtn2306am3.pdfpdf_icon

MTN2306AN3

Spec. No. : C414M3 Issued Date : 2012.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.01 Page No. : 1/8 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VID 6.8ARDSON@VGS=10V, ID=5.8A 25m(typ) MTN2306AM3 RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 27m(typ) Features Low on-resistance High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Pb-free lead plating and h

 7.1. Size:283K  cystek
mtn2306zn3.pdfpdf_icon

MTN2306AN3

Spec. No. : C582N3 Issued Date : 2011.08.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 7 20V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN2306ZN3 ID 6A28m VGS=10V, ID=5A 30m VGS=4.5V, ID=5A Features RDSON(MAX) V =20V 40m DSVGS=2.5V, ID=2.6A@V =4.5V, I =5A R =30m GS DDS(ON)60m VGS=1.8V, ID=1A @V =2.5V, I =2.6

 7.2. Size:308K  cystek
mtn2306n3.pdfpdf_icon

MTN2306AN3

Spec. No. : C723N3 Issued Date : 2012.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTN2306N3 BVDSS 30VID 4.8A RDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTN2306N3 SOT

Другие MOSFET... MTN20NF06J3 , MTN22N20J3 , MTN2300N3 , MTN2302N3 , MTN2302V3 , MTN2304M3 , MTN2304N3 , MTN2306AM3 , IRLZ44N , MTN2306N3 , MTN2306ZN3 , MTN2310M3 , MTN2310N3 , MTN2310V8 , MTN2328M3 , MTN2328N3 , MTN2342N3 .

History: AM2394NE | APT6029BLL | APT38N60BC6 | PD696BA | CEU06N7 | SPP22N05 | CSM064

 

 
Back to Top

 


 
.