Справочник MOSFET. MTN2510H8

 

MTN2510H8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2510H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTN2510H8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2510H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  cystek
 mtn2510h8.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. : C741H8 Issued Date : 2013.07.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.14 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510H8ID 55A17m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 21m VGS=6V, ID=20A Description The MTN2510H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:302K  cystek
 mtn2510le3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. : C741E3 Issued Date : 2012.03.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VID 50AMTN2510LE3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-220 MTN2510

 7.2. Size:283K  cystek
 mtn2510lj3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510LJ3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic P

 7.3. Size:283K  cystek
 mtn2510j3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510J3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 23m VGS=6V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTN2310M3 , MTN2310N3 , MTN2310V8 , MTN2328M3 , MTN2328N3 , MTN2342N3 , MTN2510E3 , MTN2510F3 , STF13NM60N , MTN2510J3 , MTN2510LE3 , MTN2510LJ3 , MTN2572F3 , MTN2572FP , MTN2572H8 , MTN2572J3 , MTN2604G6 .

History: HGI120N06SL | IRF610SPBF | HY1603S | BUK9MJJ-65PLL | TPM3139K | ELM53406CA | H8N0801AB

 

 
Back to Top

 


 
.