Справочник MOSFET. MTN2510H8

 

MTN2510H8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN2510H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTN2510H8

 

 

MTN2510H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  cystek
 mtn2510h8.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C741H8 Issued Date : 2013.07.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.14 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510H8ID 55A17m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 21m VGS=6V, ID=20A Description The MTN2510H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:302K  cystek
 mtn2510le3.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C741E3 Issued Date : 2012.03.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VID 50AMTN2510LE3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-220 MTN2510

 7.2. Size:283K  cystek
 mtn2510lj3.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510LJ3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic P

 7.3. Size:283K  cystek
 mtn2510j3.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510J3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 23m VGS=6V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb

 7.4. Size:269K  cystek
 mtn2510e3.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C433E3 Issued Date : 2010.07.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.29 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510E3 ID 50A17m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package S

 7.5. Size:283K  cystek
 mtn2510f3.pdf

MTN2510H8 MTN2510H8

Spec. No. : C741F3 Issued Date : 2010.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.07.10 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510F3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3434 | IRFR812

 

 
Back to Top