MTN2510H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2510H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTN2510H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2510H8 даташит

 ..1. Size:402K  cystek
 mtn2510h8.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. C741H8 Issued Date 2013.07.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.14 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510H8 ID 55A 17m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 21m VGS=6V, ID=20A Description The MTN2510H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:302K  cystek
 mtn2510le3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. C741E3 Issued Date 2012.03.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V ID 50A MTN2510LE3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-220 MTN2510

 7.2. Size:283K  cystek
 mtn2510lj3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. C741J3 Issued Date 2009.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510LJ3 ID 50A 19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic P

 7.3. Size:283K  cystek
 mtn2510j3.pdf pdf_icon

MTN2510H8

Spec. No. C741J3 Issued Date 2009.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510J3 ID 50A 19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 23m VGS=6V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2310M3, MTN2310N3, MTN2310V8, MTN2328M3, MTN2328N3, MTN2342N3, MTN2510E3, MTN2510F3, IRFP250, MTN2510J3, MTN2510LE3, MTN2510LJ3, MTN2572F3, MTN2572FP, MTN2572H8, MTN2572J3, MTN2604G6