Справочник MOSFET. MTN2510LE3

 

MTN2510LE3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2510LE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2510LE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  cystek
 mtn2510le3.pdf pdf_icon

MTN2510LE3

Spec. No. : C741E3 Issued Date : 2012.03.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VID 50AMTN2510LE3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-220 MTN2510

 6.1. Size:283K  cystek
 mtn2510lj3.pdf pdf_icon

MTN2510LE3

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510LJ3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic P

 7.1. Size:402K  cystek
 mtn2510h8.pdf pdf_icon

MTN2510LE3

Spec. No. : C741H8 Issued Date : 2013.07.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.14 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510H8ID 55A17m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 21m VGS=6V, ID=20A Description The MTN2510H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:283K  cystek
 mtn2510j3.pdf pdf_icon

MTN2510LE3

Spec. No. : C741J3 Issued Date : 2009.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN2510J3 ID 50A19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 23m VGS=6V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DMN2400UV | STD11NM60ND | HGS750N15ML | STM6920 | DMN66D0LDW | IXFP230N075T2 | STM4439A

 

 
Back to Top

 


 
.