Справочник MOSFET. MTN2N60I3

 

MTN2N60I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2N60I3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2N60I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cystek
mtn2n60i3.pdfpdf_icon

MTN2N60I3

Spec. No. : C435I3 Issued Date : 2009.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.0(typ.) MTN2N60I3 ID : 2A Description The MTN2N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

 7.1. Size:357K  cystek
mtn2n60j3.pdfpdf_icon

MTN2N60I3

Spec. No. : C435J3 Issued Date : 2009.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.0(typ.) MTN2N60J3 ID : 2A Description The MTN2N60J3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

 7.2. Size:284K  cystek
mtn2n60fp.pdfpdf_icon

MTN2N60I3

Spec. No. : C435FP Issued Date : 2009.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.1 typ. MTN2N60FP ID : 2A Description The MTN2N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 8.1. Size:333K  cystek
mtn2n65j3.pdfpdf_icon

MTN2N60I3

Spec. No. : C722J3 Issued Date : 2010.08.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDSON(typ): 6.2 MTN2N65J3 ID : 1.8A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFB3004GPBF | BRCS200P03DP | SM2F04NSU | APQ4ESN50AE | VS1401ATH | TSM4424CS | LKK47-06C5

 

 
Back to Top

 


 
.