MTN2N60I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN2N60I3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для MTN2N60I3
MTN2N60I3 Datasheet (PDF)
mtn2n60i3.pdf

Spec. No. : C435I3 Issued Date : 2009.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.0(typ.) MTN2N60I3 ID : 2A Description The MTN2N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res
mtn2n60j3.pdf

Spec. No. : C435J3 Issued Date : 2009.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.0(typ.) MTN2N60J3 ID : 2A Description The MTN2N60J3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res
mtn2n60fp.pdf

Spec. No. : C435FP Issued Date : 2009.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 4.1 typ. MTN2N60FP ID : 2A Description The MTN2N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn2n65j3.pdf

Spec. No. : C722J3 Issued Date : 2010.08.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDSON(typ): 6.2 MTN2N65J3 ID : 1.8A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package
Другие MOSFET... MTN2510LE3 , MTN2510LJ3 , MTN2572F3 , MTN2572FP , MTN2572H8 , MTN2572J3 , MTN2604G6 , MTN2N60FP , CS150N03A8 , MTN2N60J3 , MTN2N65AI3 , MTN2N65FP , MTN2N65I3 , MTN2N65J3 , MTN2N70FP , MTN2N70I3 , MTN3018S3 .
History: IPD350N06LG | CS50N06D | FTK10N65F | IRF610L | IXFV18N60P | RJK5032DPD | SSF26NS60A
History: IPD350N06LG | CS50N06D | FTK10N65F | IRF610L | IXFV18N60P | RJK5032DPD | SSF26NS60A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c