MTN3018S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3018S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTN3018S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3018S3 даташит

 ..1. Size:261K  cystek
 mtn3018s3.pdf pdf_icon

MTN3018S3

 9.1. Size:307K  cystek
 mtn303kn3.pdf pdf_icon

MTN3018S3

Spec. No. C814N3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.08.27 Page No. 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN303KN3 ID 850mA RDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

 9.2. Size:563K  cystek
 mtn3055j3.pdf pdf_icon

MTN3018S3

Spec. No. C390J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V ID 15A MTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3 G Gate G D S D

 9.3. Size:349K  cystek
 mtn3055m3.pdf pdf_icon

MTN3018S3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3, MTN2N65J3, MTN2N70FP, MTN2N70I3, AO3400A, MTN3023J3, MTN303KN3, MTN3055J3, MTN3055L3, MTN3055M3, MTN3205E3, MTN3207E3, MTN3207F3