FSL130D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FSL130D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
Аналог (замена) для FSL130D
FSL130D Datasheet (PDF)
fsl130.pdf

FSL130D, FSL130R8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
fsl13ao.pdf

FSL13AOD,S E M I C O N D U C T O RFSL13AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOSFET
Другие MOSFET... FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D , FSL110R , P55NF06 , FSL130R , FSL13AOD , FSL13AOR , FSL230D , FSL230R , FSL234D , FSL234R , FSL23A4D .
History: NVTFS5116PL
History: NVTFS5116PL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205