FSL130D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FSL130D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
FSL130D Datasheet (PDF)
fsl130.pdf
FSL130D, FSL130R8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
fsl13ao.pdf
FSL13AOD,S E M I C O N D U C T O RFSL13AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOSFET
Другие MOSFET... FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D , FSL110R , IRFB4227 , FSL130R , FSL13AOD , FSL13AOR , FSL230D , FSL230R , FSL234D , FSL234R , FSL23A4D .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918