Справочник MOSFET. MTN3055L3

 

MTN3055L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3055L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3055L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  cystek
 mtn3055l3.pdf pdf_icon

MTN3055L3

Spec. No. : C390L3 Issued Date : 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.08.20 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3055L3 ID 8.3A19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p

 7.1. Size:563K  cystek
 mtn3055j3.pdf pdf_icon

MTN3055L3

Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D

 7.2. Size:349K  cystek
 mtn3055m3.pdf pdf_icon

MTN3055L3

Spec. No. : C390M3 Issued Date : 2007.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.12.03 Page No. : 1/6 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VID 6AMTN3055M3 RDSON(MAX) 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline MTN3055M3 SOT-89 D G D S GGate S

 9.1. Size:307K  cystek
 mtn303kn3.pdf pdf_icon

MTN3055L3

Spec. No. : C814N3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.27 Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN303KN3 ID 850mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RFP30P06 | HLML6401 | NTTFS5C673NL | FCPF600N60Z | APT29F80J | SWB030R04VT | AP85T03GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.