MTN3410J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3410J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN3410J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3410J3 даташит

 ..1. Size:330K  cystek
 mtn3410j3.pdf pdf_icon

MTN3410J3

Spec. No. C433J3 Issued Date 2008.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.07.22 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V ID 50A MTN3410J3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN3410

 7.1. Size:289K  cystek
 mtn3410f3.pdf pdf_icon

MTN3410J3

Spec. No. C795F3 Issued Date 2011.03.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V RDS(ON) 20m (max.) MTN3410F3 ID 59A Description The MTN3410F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

 8.1. Size:280K  cystek
 mtn3418cn3.pdf pdf_icon

MTN3410J3

Spec. No. C570N3 Issued Date 2012.02.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.07.30 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V ID 1.4A MTN3418CN3 RDSON(max) @VGS=10V 300m RDSON(max) @VGS=4V 450m Description The MTN3418CN3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage dri

 8.2. Size:274K  cystek
 mtn3418s3.pdf pdf_icon

MTN3410J3

Spec. No. C726S3 Issued Date 2011.12.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V ID 1.9A MTN3418S3 RDSON(max) 110m Description The MTN3418S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN3055J3, MTN3055L3, MTN3055M3, MTN3205E3, MTN3207E3, MTN3207F3, MTN3400N3, MTN3410F3, AON7403, MTN3418BN3, MTN3418CN3, MTN3418N3, MTN3418S3, MTN3434G6, MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8